结合耐磨钢板实际的拉晶工艺，对气孔的产生机理及其对缺陷尤其是位错缺陷的影响进行探究。运用非接触电阻率测量技术和光致发光谱技术（PL）对耐磨钢板Fe杂质在InP晶片中的分布进行电学和光学表征；采用扫描电子显微镜观察气孔的形貌；采用X射线衍射技术（XRD）对气孔周围的结晶质量进行研究；使用能量色散谱技术（EDS）测量耐磨钢板气孔的成分；
能谱仪(EDS)和荧光分光光度计对耐磨钢板所制备产物的成分,含量和发光性质进行了表征。结果表明:采用该方法制备出的磷化铟纳米线长短不同,***小直径为20 nm。在合适的条件下,改变反应温度、增加耐磨钢板反应时间或改变碱溶液都可生长出高品质的磷化铟纳米线。随着半导体产业的不断发展进步，化合物半导体材料InP表现出来的优势越来越明显。熔体的化学配比能够影响晶体内部缺陷，从而决定着材料的性质。
在富磷条件下制备InP单晶材料，更有利于实现非掺杂InP的半绝缘特性。而在富磷熔体中进行InP单晶生长时，单晶锭内产生大量的气孔，严重影响了材料的性能。本文采用Huber腐蚀法和金相显微镜对晶片的位错密度进行统计；使用透射偏振差分谱技术对晶片进行热应力测试。非接触电阻率测量和光致发光谱结果表明。